Navitas Semiconductor Corporation ha annunciato il primo di una serie di investimenti produttivi strategici, per aumentare il controllo, ridurre i costi e migliorare la capacità di guadagno dei suoi semiconduttori di potenza GeneSiC in carburo di silicio (SiC).
Un investimento iniziale di 20 milioni di dollari consente di realizzare un impianto di crescita epitassiale di SiC a tre reattori presso la sede centrale dell'azienda a Torrance, in California. L'aggiunta di uno strato epitassiale di SiC su un wafer di SiC grezzo è il primo passo per la produzione di dispositivi di potenza SiC individuali. Il primo reattore di epitassi AIXTRON G10-SiC, con capacità di wafer 6o e 8o, dovrebbe essere completamente qualificato e in produzione nel 2024. Navitas considera i servizi di crescita epitassica che saranno forniti dalla sua nuova struttura come una fase critica del processo che potrebbe sostenere fino a 200 milioni di dollari in più di produzione annuale. L'azienda prevede di continuare ad avvalersi di fornitori terzi per ulteriori operazioni di epi-crescita, fabbricazione di wafer e assemblaggio.