Navitas Semiconductor Corporation avvia investimenti produttivi strategici
Un investimento iniziale di 20 milioni di dollari consente di realizzare un impianto di crescita epitassiale di SiC a tre reattori presso la sede centrale dell'azienda a Torrance, in California. L'aggiunta di uno strato epitassiale di SiC su un wafer di SiC grezzo è il primo passo per la produzione di dispositivi di potenza SiC individuali. Il primo reattore di epitassi AIXTRON G10-SiC, con capacità di wafer 6o e 8o, dovrebbe essere completamente qualificato e in produzione nel 2024. Navitas considera i servizi di crescita epitassica che saranno forniti dalla sua nuova struttura come una fase critica del processo che potrebbe sostenere fino a 200 milioni di dollari in più di produzione annuale. L'azienda prevede di continuare ad avvalersi di fornitori terzi per ulteriori operazioni di epi-crescita, fabbricazione di wafer e assemblaggio.
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