AXT, Inc. è un'azienda di scienza dei materiali che sviluppa e produce substrati di wafer di semiconduttori composti e a singolo elemento ad alte prestazioni, che comprendono fosfuro di indio (InP), arseniuro di gallio (GaAs) e germanio (Ge). I suoi substrati per wafer vengono utilizzati quando un tipico substrato per wafer di silicio non è in grado di soddisfare i requisiti di prestazione di un dispositivo semiconduttore o optoelettronico. Ha due linee di prodotti: substrati di materiali speciali e materie prime integrate in questi substrati. Il suo InP è un substrato di wafer semiconduttore utilizzato nelle applicazioni a banda larga e in fibra ottica, nell'infrastruttura 5G e nella connettività dei data center. I suoi substrati semiconduttori in GaAs sono utilizzati per creare prodotti optoelettronici, tra cui i diodi ad emissione di luce ad alta luminosità, spesso utilizzati per retroilluminare i telefoni cellulari e i televisori LCD e per le applicazioni automobilistiche, di segnaletica e di illuminazione. I suoi substrati Ge sono utilizzati in applicazioni come le celle solari per applicazioni fotovoltaiche spaziali e terrestri.