Everspin Technologies, Inc. annuncia la famiglia di prodotti EMxxLX xSPI
03 maggio 2022 alle 14:00
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Everspin Technologies, Inc. ha annunciato che l'azienda ha iniziato il campionamento dei clienti della sua nuova famiglia di prodotti MRAM con interfaccia SPI/QSPI/xSPI. La EMxxLX è la memoria persistente ad alte prestazioni del mondo, con una larghezza di banda di lettura e scrittura di 400 Megabyte al secondo attraverso la nuova interfaccia standard JEDEC Expanded Serial Peripheral Interface (xSPI). Con densità che vanno da 8Mbit a 64Mbit, questa famiglia di prodotti è destinata all'uso nelle applicazioni IoT industriali e nei sistemi embedded.
Si prevede che il nuovo standard JEDEC xSPI diventerà il modo più diffuso per accedere alla memoria dati e all'archiviazione del codice nei sistemi embedded. L'EMxxLX sarà supportato dal controller di memoria a bus multiplo xSPI del partner di Everspin, Synaptic Laboratories Ltd. (SLL). (SLL). L'IP xSPI MBMC di SLL supporta le famiglie di dispositivi FPGA più diffuse, e presto anche ASIC, fino alla velocità massima di 400 Mbyte/s. Le spedizioni in serie della serie EMxxLX saranno disponibili nella seconda metà del 2022.
Everspin Technologies, Inc. è impegnata nella fornitura di soluzioni di memoria magneto-resistiva ad accesso casuale (MRAM). Le soluzioni MRAM dell'azienda offrono una memoria non volatile con la velocità e la resistenza della memoria ad accesso casuale (RAM) e consentono di proteggere i dati mission-critical, in particolare in caso di interruzione o guasto dell'alimentazione. Il suo portafoglio di tecnologie MRAM comprende Toggle MRAM e Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). I prodotti Toggle MRAM includono interfacce standard del settore, tra cui interfacce parallele, Serial Peripheral Interface (SPI) e Quad SPI (QSPI). La sua tecnologia STT-MRAM offre prodotti per applicazioni di memoria dinamica ad accesso casuale (DRAM), SRAM e NOR Flash. Offre i suoi prodotti con interfacce derivate DDR3 e DDR4, facilitando la sostituzione della DRAM a batteria con la STT-MRAM. I suoi sensori 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR) offrono un'elevata sensibilità magnetica in un singolo componente che esegue misurazioni del campo magnetico 3D in una soluzione monolitica.
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