Mitsubishi Electric Corporation ha annunciato che il 1° agosto lancerà un modulo MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) da 50W in silicio a radiofrequenza (RF) ad alta potenza, da utilizzare negli amplificatori di potenza ad alta frequenza delle radio ricetrasmittenti commerciali. Il modello, che offre una potenza di uscita di 50W nella banda da 763MHz a 870MHz e un'elevata efficienza totale del 40%, si prevede che contribuirà ad ampliare la gamma di comunicazione radio e a ridurre il consumo energetico. Le bande di frequenza da 150 MHz e 400 MHz utilizzate per vari sistemi wireless sono diventate congestionate in Nord America e in altri mercati, quindi in risposta, la banda da 700 MHz, precedentemente utilizzata per le trasmissioni televisive analogiche, è stata riassegnata per le radio commerciali bidirezionali, aumentando la richiesta di radio che supportino questa banda. Gli amplificatori di potenza convenzionali, tuttavia, presentano una grande perdita di potenza, per cui c'è bisogno di moduli MOSFET RF ad alta potenza che offrano un circuito di accoppiamento dell'impedenza di ingresso/uscita integrato e prestazioni di potenza di uscita garantite.

Il nuovo MOSFET RF ad alta potenza in silicio (RA50H7687M1), che raggiunge una potenza ineguagliabile e un'elevata efficienza totale per le radio commerciali compatibili con la banda 700 MHz, dovrebbe ampliare la gamma di comunicazione e ridurre il consumo energetico di tali radio.