Soitec ha rilasciato il suo primo wafer SmartSiC in carburo di silicio da 200 mm. Con questo rilascio, Soitec è in grado di ampliare il suo portafoglio di prodotti SiC oltre i 150 mm, di portare lo sviluppo dei suoi wafer SmartSiC al livello successivo e di soddisfare la crescente domanda del mercato automobilistico. Il substrato SmartSiC da 200 mm è emerso dalla linea pilota di Soitec presso il suo Substrate Innovation Center all'interno del CEA-Leti a Grenoble.

Il rilascio ha permesso a Soitec di dimostrare la qualità e le prestazioni di un wafer SmartSiC da 200 mm e di condurre un primo ciclo di convalide chiave per i clienti. Soitec ha avviato la costruzione di una nuova fabbrica in Francia, Bernin 4, nel marzo 2022. È dedicata principalmente alla produzione di wafer SmartSiC™ da 150 mm e 200 mm e si prevede che sarà operativa entro la seconda metà del 2023.

L'esclusiva tecnologia SmartSiC di Soitec consente di migliorare in modo significativo le prestazioni dei dispositivi elettronici di potenza e di aumentare l'efficienza energetica dei veicoli elettrici. La tecnologia consiste nell'incollare uno strato molto sottile di SiC di alta qualità su un wafer di polySiC a bassissima resistività.