MILANO (MF-DJ)--Dopo Crolles anche Catania. Stm, che a luglio aveva annunciato un investimento congiunto con GlobalFoundries da diversi miliardi di euro, con sostegno finanziario significativo dello Stato francese, per un nuovo impianto di produzione in grandi volumi, costruirá un impianto integrato per la produzione di substrati in carburo di silicio (SiC) in Italia. In Borsa l'azione Stm sale dell'1,18%, in controtendenza rispetto al -1,4% del mercato.

L'impianto andrá incontro alla domanda crescente di dispositivi SiC per applicazioni automotive e industriali da parte dei clienti Stm che mirano a realizzare la transizione verso l'elettrificazione e richiedono maggiore efficienza. Si prevede che la produzione inizi nel 2023 e bilanci l'approvvigionamento di substrati in SiC tra materiali prodotti internamente e acquistati da fornitori esterni.

L'impianto di produzione di substrati in SiC, costruito nel sito di Catania accanto allo stabilimento esistente che produce dispositivi in SiC, sará il primo nel suo genere in Europa per la produzione in volumi di substrati epitassiali in SiC da 150 mm e integrerá tutti i passaggi del flusso produttivo. Stm è impegnata a sviluppare substrati da 200 mm nel prossimo futuro.

Questo progetto rappresenta un passaggio chiave per la progressiva attuazione della strategia di integrazione verticale del gruppo nelle attivitá in SiC. L'investimento di 730 milioni di euro in un arco di cinque anni avrá il supporto finanziario dello Stato italiano nell'ambito del Piano Nazionale di Ripresa e Resilienza e, una volta completato, creerá circa 700 nuovi posti di lavoro diretti. In questo contesto, la Commissione Europea ha approvato una tranche del sostegno post pandemico per l'Italia, che sosterrá Stm nella costruzione dell'impianto con 292,5 mln euro.

"Stm sta trasformando le sue attivitá produttive globali, con una capacitá addizionale nella produzione a 300 mm e una forte focalizzazione sui semiconduttori a larga banda interdetta, a sostegno della sua ambizione di raggiungere i 20 e oltre miliardi di dollari di ricavi.

Stiamo ampliando le nostre attivitá operative a Catania, il centro delle nostre competenze nei semiconduttori di potenza e dove abbiamo giá integrato attivitá di ricerca, sviluppo e produzione per il SiC in stretta collaborazione con istituti di ricerca italiani, universitá e fornitori", ha dichiarato Jean-Marc Chery, President e Ceo di Stm.

"Questo nuovo impianto sará fondamentale per la nostra integrazione verticale nel SiC, ampliando la nostra fornitura di substrati in SiC in una fase in cui aumenteremo ulteriormente i volumi per sostenere la transizione da parte dei nostri clienti dei settori automotive e industriale verso l'elettrificazione e maggiore efficienza", ha aggiunto il top manager.

Catania è da tempo per Stm un sito importante per l'innovazione in quanto ospita il piú grande centro di Ricerca e Sviluppo e produzione per il SiC e contribuisce con successo allo sviluppo di nuove soluzioni per produrre dispositivi in SiC in quantitá maggiori e qualitá migliore. Con un ecosistema consolidato nell'elettronica di potenza, che include una proficua collaborazione a lungo termine tra Stm e diversi stakeholder (l'Universitá, il Cnr e aziende coinvolte nella produzione di apparecchiature e prodotti) oltre a una vasta rete di fornitori, questo investimento rafforzerá il ruolo di Catania come centro di competenza globale nella tecnologia del carburo di silicio e per nuove opportunitá di crescita.

I prodotti avanzati StPower in SiC di Stm sono attualmente prodotti in volumi elevati negli stabilimenti di Catania e Ang Mo Kio (Singapore). Le attivitá di assemblaggio e collaudo si svolgono nei siti di back-end di Shenzhen (Cina) e Bouskoura (Marocco). L'investimento in questo impianto di produzione di substrati in SiC si fonda su queste competenze e rappresenta per Stm un passo significativo verso l'approvvigionamento interno del 40% delle fette in SiC entro il 2024.

A luglio Stm e GlobalFoundries, leader globale nella produzione di semiconduttori ricchi di funzionalitá, avevano firmato un memorandum d'intesa per la creazione di un nuovo impianto manifatturiero a gestione congiunta per la produzione di semiconduttori su wafer di silicio da 300 mm adiacente all'impianto da 300 mm di ST esistente a Crolles, in Francia. Questo impianto dovrebbe arrivare a pieno regime entro il 2026, con una produzione equivalente a fino 620.000 wafer da 300 mm l'anno a costruzione ultimata. Le nuove assunzioni stimate sono 1.000.

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October 05, 2022 05:01 ET (09:01 GMT)