Avalanche Technology e United Microelectronics Corporation hanno annunciato la disponibilità immediata di nuovi dispositivi di memoria Persistent SRAM (P-SRAM) ad alta affidabilità, grazie alla tecnologia di processo a 22 nm di UMC. Basata sull'ultima generazione della tecnologia Spin Transfer Torque Magnetoresistive RAM (STT-MRAM) di Avalanche Technology, questa piattaforma di prodotti di terza generazione, molto attesa, offre notevoli vantaggi in termini di densità, resistenza, affidabilità e potenza rispetto alle soluzioni non volatili esistenti. SRAM persistente Avalanche Gen 3: la serie Parallel x 32 è offerta come prodotto standard in varie opzioni di densità e ha tempistiche di lettura/scrittura asincrone compatibili con le SRAM.

I dati sono sempre non volatili, con una resistenza ai cicli di scrittura >1014, leader del settore, e una conservazione di 1.000 anni (a 85°C). Entrambe le opzioni di densità sono disponibili in un pacchetto FBGA a 142 sfere con ingombro ridotto (15 mm x 17 mm). I dispositivi sono offerti nell'intervallo di temperatura operativa esteso (da -40°C a 125°C) con un flusso di qualificazione JEDEC, in cui ogni dispositivo viene sottoposto a un burn-in di 48 ore prima di essere spedito ai clienti.

Sono disponibili ulteriori opzioni di screening di qualificazione attraverso i partner.