Vishay Intertechnology, Inc. ha presentato il suo primo MOSFET di potenza di quarta generazione da 600 V della Serie E nel nuovo pacchetto PowerPAK® 8 x 8LR. Rispetto ai dispositivi di precedente generazione, il SiHR080N60E a canale n di Vishay Siliconix riduce la resistenza di accensione del 27% e la resistenza per la carica di gate, una figura di merito (FOM) chiave per i MOSFET da 600 V utilizzati nelle applicazioni di conversione di potenza, del 60%, fornendo al contempo una corrente più elevata in un ingombro minore rispetto ai dispositivi nel pacchetto D²PAK. Vishay offre un'ampia linea di tecnologie MOSFET che supportano tutte le fasi del processo di conversione di potenza, dagli ingressi ad alta tensione alle uscite a bassa tensione necessarie per alimentare le più recenti apparecchiature ad alta tecnologia.

Con SiHR080N60E e altri dispositivi della famiglia di quarta generazione della Serie E da 600 V, l'azienda risponde all'esigenza di migliorare l'efficienza e la densità di potenza in due delle prime fasi dell'architettura del sistema di alimentazione: la correzione del fattore di potenza (PFC) e i successivi blocchi del convertitore DC/DC. Le applicazioni tipiche includeranno server, edge computing, super computer e archiviazione dati; UPS; lampade a scarica ad alta intensità (HID) e illuminazione con reattori fluorescenti; SMPS per telecomunicazioni; inverter solari; apparecchiature di saldatura; riscaldamento a induzione; azionamenti per motori e caricabatterie.

Con dimensioni di 10,42 mm per 8 mm per 1,65 mm, il pacchetto compatto PowerPAK 8 x 8LR di SiHR080N60E presenta un ingombro inferiore del 50,8% rispetto al D²PAK e un'altezza inferiore del 66%. Grazie al raffreddamento sul lato superiore, il package offre un'eccellente capacità termica, con una resistenza termica estremamente bassa tra giunzione e involucro (drain) di 0,25 °C/W. Ciò consente una corrente superiore del 46% rispetto al D²PAK allo stesso livello di resistenza di accensione, consentendo una densità di potenza nettamente superiore. Inoltre, i conduttori ad ali di gabbiano del pacchetto offrono un'eccellente capacità di ciclo di temperatura.

Costruito sulla più recente tecnologia a supergiunzione della Serie E di Vishay, ad alta efficienza energetica, SiHR080N60E è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione tipica di 0,074 O a 10 V e da una carica di gate ultra bassa, fino a 42 nC. Il FOM risultante è di 3,1 O*nC, basso nel settore, che si traduce in perdite di conduzione e di commutazione ridotte per risparmiare energia e aumentare l'efficienza nei sistemi di potenza > 2 kW. Per migliorare le prestazioni di commutazione nelle topologie hard-switched, come i progetti PFC, half-bridge e two-switch forward, il MOSFET rilasciato il 1° maggio 2024 offre basse capacità di uscita effettive tipiche Co(er) e Co(tr), rispettivamente di 79 pF e 499 pF.

Il pacchetto offre anche una connessione Kelvin per migliorare l'efficienza di commutazione. Il dispositivo è conforme alla normativa RoHS e privo di alogeni, ed è progettato per resistere ai transitori di sovratensione in modalità valanga con limiti garantiti attraverso test UIS al 100%. I campioni e le quantità di produzione di SiHR080N60E sono disponibili da subito.