Samsung Electronics Co. Ltd. ha annunciato di aver iniziato la produzione di massa della sua cella a triplo livello (TLC) da un terabit (Tb) NAND verticale (V-NAND) di 9a generazione, consolidando la sua leadership nel mercato delle memorie NAND. Con la dimensione della cella più piccola del settore e lo stampo più sottile, Samsung ha migliorato la densità di bit della V-NAND di 9a generazione di circa il 50% rispetto alla V-Nand di 8a generazione. Per migliorare la qualità e l'affidabilità del prodotto, sono state applicate nuove innovazioni, come la prevenzione delle interferenze delle celle e l'estensione della vita delle celle, mentre l'eliminazione dei fori dei canali fittizi ha ridotto significativamente l'area planare delle celle di memoria.

Inoltre, l'avanzata tecnologia "channel hole etching" di Samsung dimostra la leadership dell'azienda nelle capacità di processo. Questa tecnologia crea percorsi di elettroni impilando gli strati di stampo e massimizza la produttività di fabbricazione, in quanto consente la foratura simultanea del numero di strati di celle più elevato del settore in una struttura a doppia pila. Con l'aumento del numero di strati di celle, la capacità di perforare un numero maggiore di celle diventa essenziale, richiedendo tecniche di incisione più sofisticate.

La V- NAND di 9a generazione è dotata dell'interfaccia NAND flash di nuova generazione, "Toggle 5.1", che supporta un aumento della velocità di ingresso/uscita dei dati del 33%, fino a 3,2 gigabit al secondo (Gbps). Oltre a questa nuova interfaccia, Samsung intende consolidare la sua posizione nel mercato degli SSD ad alte prestazioni, ampliando il supporto per PCIe 5.0. Anche il consumo di energia è stato migliorato del 10% con progressi nel design a basso consumo, rispetto alla generazione precedente. Poiché la riduzione del consumo energetico e delle emissioni di anidride carbonica diventa fondamentale per i clienti, si prevede che V-SAND di 9° generazione di Samsung sia una soluzione ottimale per le applicazioni future.

Samsung ha avviato la produzione di massa della V-RAND di 9a generazione da 1Tb TLC questo mese, seguita dal modello quad level cell (QLC) nella seconda metà di quest'anno.