Akoustis Technologies, Inc. ha annunciato di aver sviluppato un nuovo materiale XBAW® avanzato a cristallo singolo che utilizza nitruro di alluminio scandio epitassiale (EPI) su wafer di silicio. Questo nuovo materiale è stato sviluppato con un finanziamento della Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) per scalare la tecnologia XBAW® a frequenze fino a 18 GHz. L'Azienda prevede di iniziare a campionare i filtri che utilizzano il nuovo materiale a cristallo singolo nel trimestre in corso.

Akoustis ha sviluppato nuovamente il suo nanomateriale avanzato a cristallo singolo, che offre filtri BAW con una maggiore gestione della potenza e armoniche migliorate rispetto alla tecnologia a cristalli multipli esistente. Una maggiore gestione della potenza offre ai clienti la possibilità di progettare prodotti con una potenza di trasmissione più elevata e, di conseguenza, una maggiore portata e penetrazione dell'ostacolo. Le armoniche migliorate riducono le emissioni spurie indesiderate fuori banda che potrebbero causare interferenze o non essere approvate dalla FCC e da altri standard.

Lo sviluppo del nuovo materiale a cristallo singolo si basa in modo significativo su molti brevetti fondamentali e segreti commerciali dell'Azienda. Akoustis continua a registrare una forte domanda e un canale di vendita in crescita per i suoi prodotti Wi-Fi, 5G mobile e 5G infrastrutturali, nonché per i suoi nuovi prodotti oscillatori e risonatori XBAW®/SAW e per i servizi back-end di semiconduttori. Nel trimestre di giugno, l'Azienda ha spedito campioni dei suoi nuovi prodotti di filtro XBAW® Wi-Fi 6E/7 da 5,6 GHz/6,6 GHz a diversi clienti.

Akoustis continua ad aggiungere nuovi progetti Wi-Fi, molti dei quali dovrebbero entrare in produzione nel calendario 2023.