Everspin Technologies, Inc. annuncia i risultati dei guadagni non certificati per il primo trimestre conclusosi il 31 marzo 2018; fornisce indicazioni sui guadagni per il secondo trimestre del 2018
09 maggio 2018 alle 23:00
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Everspin Technologies, Inc. ha annunciato risultati di guadagno non verificati per il primo trimestre conclusosi il 31 marzo 2018. Per il trimestre, le vendite dei prodotti della società sono state di $ 9.264.000 contro $ 6.648.000 di un anno fa. Le entrate totali sono state di 14.853.000 dollari contro 7.880.000 dollari di un anno fa. La perdita dalle operazioni è stata di 1.110.000 dollari contro i 5.875.000 dollari di un anno fa. La perdita netta e la perdita complessiva sono state di 1.277.000 dollari contro 6.086.000 dollari di un anno fa. La perdita netta per azione comune, di base e diluita, è stata di 0,09 dollari contro 0,49 dollari di un anno fa. Il contante netto utilizzato nelle attività operative è stato di $3.738.000 contro $4.040.000 di un anno fa. Gli acquisti di proprietà e attrezzature sono stati 244.000 dollari contro 470.000 dollari di un anno fa. Per il secondo trimestre del 2018, la società si aspetta che le entrate oscillino tra 10,9 e 11,3 milioni di dollari. La perdita netta per azione dovrebbe oscillare tra $ 0,45 e $ 0,41 sulla base del conteggio medio ponderato delle azioni di 16,9 milioni di azioni in circolazione.
Everspin Technologies, Inc. è impegnata nella fornitura di soluzioni di memoria magneto-resistiva ad accesso casuale (MRAM). Le soluzioni MRAM dell'azienda offrono una memoria non volatile con la velocità e la resistenza della memoria ad accesso casuale (RAM) e consentono di proteggere i dati mission-critical, in particolare in caso di interruzione o guasto dell'alimentazione. Il suo portafoglio di tecnologie MRAM comprende Toggle MRAM e Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). I prodotti Toggle MRAM includono interfacce standard del settore, tra cui interfacce parallele, Serial Peripheral Interface (SPI) e Quad SPI (QSPI). La sua tecnologia STT-MRAM offre prodotti per applicazioni di memoria dinamica ad accesso casuale (DRAM), SRAM e NOR Flash. Offre i suoi prodotti con interfacce derivate DDR3 e DDR4, facilitando la sostituzione della DRAM a batteria con la STT-MRAM. I suoi sensori 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR) offrono un'elevata sensibilità magnetica in un singolo componente che esegue misurazioni del campo magnetico 3D in una soluzione monolitica.
Everspin Technologies, Inc. annuncia i risultati dei guadagni non certificati per il primo trimestre conclusosi il 31 marzo 2018; fornisce indicazioni sui guadagni per il secondo trimestre del 2018
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