Everspin Technologies, Inc. riporta i risultati degli utili per il terzo trimestre e i nove mesi conclusi il 30 settembre 2023
01 novembre 2023 alle 21:05
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Everspin Technologies, Inc. ha riportato i risultati degli utili per il terzo trimestre e i nove mesi conclusi il 30 settembre 2023. Per il terzo trimestre, la società ha registrato un fatturato di 16,47 milioni di dollari USA rispetto ai 15,24 milioni di dollari USA di un anno fa. L'utile netto è stato di 2,44 milioni di dollari rispetto a 1,91 milioni di dollari di un anno fa. L'utile base per azione da attività continuative è stato di 0,12 dollari USA rispetto a 0,09 dollari USA di un anno fa. L'utile diluito per azione da attività continuative è stato di 0,11 dollari USA rispetto a 0,09 dollari USA di un anno fa. Per i nove mesi, il fatturato è stato di 47,06 milioni di dollari USA rispetto ai 44,3 milioni di dollari USA di un anno fa. L'utile netto è stato di 7,08 milioni di dollari rispetto ai 5,51 milioni di dollari di un anno fa. L'utile base per azione da attività continuative è stato di 0,34 dollari USA rispetto a 0,27 dollari USA di un anno fa. L'utile diluito per azione da attività continuative è stato di 0,33 dollari USA rispetto ai 0,27 dollari USA di un anno fa.
Everspin Technologies, Inc. è impegnata nella fornitura di soluzioni di memoria magneto-resistiva ad accesso casuale (MRAM). Le soluzioni MRAM dell'azienda offrono una memoria non volatile con la velocità e la resistenza della memoria ad accesso casuale (RAM) e consentono di proteggere i dati mission-critical, in particolare in caso di interruzione o guasto dell'alimentazione. Il suo portafoglio di tecnologie MRAM comprende Toggle MRAM e Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). I prodotti Toggle MRAM includono interfacce standard del settore, tra cui interfacce parallele, Serial Peripheral Interface (SPI) e Quad SPI (QSPI). La sua tecnologia STT-MRAM offre prodotti per applicazioni di memoria dinamica ad accesso casuale (DRAM), SRAM e NOR Flash. Offre i suoi prodotti con interfacce derivate DDR3 e DDR4, facilitando la sostituzione della DRAM a batteria con la STT-MRAM. I suoi sensori 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR) offrono un'elevata sensibilità magnetica in un singolo componente che esegue misurazioni del campo magnetico 3D in una soluzione monolitica.
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