Magnachip Semiconductor Corporation ha annunciato di aver lanciato il suo transistor a effetto di campo (MOSFET) MXT Metal-Oxide-Semiconductor di ottava generazione da 150 V, ottimizzato per i controller dei motori dei veicoli elettrici leggeri (LEV) e i sistemi di gestione delle batterie (BMS). L'efficienza energetica gioca un ruolo fondamentale nei dispositivi elettrici, quando si tratta di consumo di energia e stabilità del prodotto. Questo nuovo MOSFET (MDT15N054PTRH) presenta la tecnologia MOSFET a trincea di ottava generazione di Magnachip, che consente di ridurre l'RDS(on) del 28%, rispetto alla generazione precedente.

Grazie al design migliorato della cella centrale e della terminazione, è possibile ottenere un'elevata cifra di merito ed evitare un aumento della carica totale del gate. MDT15N054PTRH è disponibile in un pacchetto TO-Leadless (TOLL) per ridurre le dimensioni del prodotto e migliorare la dissipazione del calore. Anche l'efficienza energetica è notevolmente migliorata grazie alla commutazione rapida, consentendo al contempo un'elevata densità di potenza.

Inoltre, una temperatura di giunzione operativa garantita da -55°C a 175°C e un alto livello di robustezza da valanga aiutano il nuovo MOSFET MXT a superare i requisiti prestazionali dei controllori di motori LEV e dei BMS.