Vishay Intertechnology, Inc. ha presentato 16 nuovi diodi Schottky Gen 3 da 1200 V in carburo di silicio (SiC). Caratterizzati da un design PIN Schottky unito (MPS), i dispositivi di Vishay Semiconductors combinano un'elevata robustezza della corrente di picco con una bassa caduta di tensione in avanti, carica capacitiva e corrente di dispersione inversa, per aumentare l'efficienza e l'affidabilità nei progetti di commutazione di potenza. I diodi SiC di nuova generazione, rilasciati il 26 giugno 2024, consistono in dispositivi da 5 A a 40 A nei pacchetti TO-220AC 2L, TO-247AD 2L e TO-247AD 3L a foro passante e D²PAK 2L (TO-263AB 2L) a montaggio superficiale.

I diodi offrono una bassa carica di capacità fino a 28 nC, mentre la loro struttura MPS - che presenta un lato posteriore assottigliato tramite la tecnologia di ricottura laser - offre una caduta di tensione in avanti ridotta a 1,35 V. Inoltre, i dispositivi?

La bassa corrente di dispersione inversa tipica, che scende a 2,5 µA a 25 °C, riduce le perdite di conduzione, garantendo un'elevata efficienza del sistema durante i carichi leggeri e il funzionamento al minimo. A differenza dei diodi ultraveloci, i dispositivi Gen 3 non hanno praticamente alcuna coda di recupero, il che migliora ulteriormente l'efficienza. Le applicazioni tipiche dei diodi includono il PFC AC/DC e il raddrizzamento di uscita DC/DC ad altissima frequenza nei convertitori FBPS e LLC per gli inverter solari; i sistemi di accumulo di energia; gli azionamenti e gli strumenti industriali; i data center.

Per gli ambienti difficili di queste applicazioni, i dispositivi combinano temperature di esercizio fino a +175 °C con valori di sovratensione in avanti fino a 260 A, per un'elevata robustezza. Inoltre, i diodi nel pacchetto D²PAK 2L sono caratterizzati da un composto di stampaggio con un elevato CTI 600, che garantisce un eccellente isolamento elettrico a tensioni elevate. Offrendo un'elevata affidabilità, i dispositivi conformi alla normativa RoHS e privi di alogeni hanno superato i test di polarizzazione inversa a temperature più elevate (HTRB) di 2000 ore e i test di ciclismo termico di 2000 cicli termici.

I campioni e le quantità di produzione dei nuovi diodi SiC sono disponibili da subito, con tempi di consegna di 13 settimane.