Everspin Technologies, Inc annuncia la disponibilità commerciale dei suoi dispositivi STT-MRAM EMxxLX
02 novembre 2022 alle 12:00
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Everspin Technologies, Inc. ha annunciato che la sua più recente famiglia di prodotti STT-MRAM ad alta densità, la EMxxLX, è ora disponibile in commercio. La tecnologia EMxxLX, annunciata all'inizio di quest'anno, è la memoria persistente più performante oggi disponibile. È ideale per l'uso nei sistemi elettronici in cui la persistenza e l'integrità dei dati, la bassa potenza, la bassa latenza e la sicurezza sono fondamentali, come l'IoT industriale, le infrastrutture di rete/impresa, l'automazione e il controllo dei processi, l'aeronautica/avionica, il settore medico, i giochi e le configurazioni FPGA.
L'EMxxLX offre la prima interfaccia seriale xSPI del settore, basata sull'esclusiva tecnologia STT-MRAM di Everspin. È l'unica memoria persistente disponibile in commercio con una larghezza di banda di lettura e scrittura completa di 400 megabyte al secondo tramite otto segnali I/O con una frequenza di clock di 200 MHz. La famiglia di dispositivi a basso consumo offre la più alta combinazione di prestazioni, resistenza e ritenzione disponibile e sono offerti in densità da 8 a 64 megabit.
La famiglia EMxxLX può sostituire soluzioni alternative, come SRAM, BBSRAM, FRAM, NVSRAM e dispositivi NOR flash. La tecnologia STT-MRAM è meno suscettibile agli effetti delle radiazioni rispetto ad altre memorie persistenti. La famiglia di prodotti EMxxLX è adatta alle applicazioni aerospaziali e dell'aviazione, grazie alla sua elevata affidabilità, all'eccellente resistenza e alla velocità di scrittura.
Everspin Technologies, Inc. è impegnata nella fornitura di soluzioni di memoria magneto-resistiva ad accesso casuale (MRAM). Le soluzioni MRAM dell'azienda offrono una memoria non volatile con la velocità e la resistenza della memoria ad accesso casuale (RAM) e consentono di proteggere i dati mission-critical, in particolare in caso di interruzione o guasto dell'alimentazione. Il suo portafoglio di tecnologie MRAM comprende Toggle MRAM e Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). I prodotti Toggle MRAM includono interfacce standard del settore, tra cui interfacce parallele, Serial Peripheral Interface (SPI) e Quad SPI (QSPI). La sua tecnologia STT-MRAM offre prodotti per applicazioni di memoria dinamica ad accesso casuale (DRAM), SRAM e NOR Flash. Offre i suoi prodotti con interfacce derivate DDR3 e DDR4, facilitando la sostituzione della DRAM a batteria con la STT-MRAM. I suoi sensori 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR) offrono un'elevata sensibilità magnetica in un singolo componente che esegue misurazioni del campo magnetico 3D in una soluzione monolitica.