HPQ Silicon Inc. aggiorna gli azionisti su un recente deposito di brevetto relativo alla sua "iniziativa sui materiali anodici a base di silicio". HPQ ha depositato in Francia una nuova domanda di brevetto provvisorio relativa a un processo di produzione continua di ossido di silicio (SiOx) basato su un design PUREVAPTM QRR modificato. In base alla legge francese, HPQ ha acquisito tutti i diritti detenuti dagli inventori per 90.000,00 CAD. Il brevetto protegge una configurazione unica della tecnologia QRR che consente la produzione di SiOx sulla stessa apparecchiatura.

Il nuovo processo brevettato presenta un vantaggio significativo rispetto al processo standard, in quanto consente la produzione continua di SiOx, mentre quest'ultimo viene prodotto in lotti. Il processo proposto può essere applicato al QRR senza grandi cambiamenti nel design del reattore, riducendo i rischi di sviluppo tecnologico. Inoltre, vale la pena notare che il prezzo del SiOx è circa 2 o 3 volte più costoso del silicio della stessa purezza.

I subossidi di silicio (SiOx) sono un promettente materiale anodico con un'elevata capacità di accumulo di litio. L'aggiunta di piccole quantità di ossido di silicio agli elettrodi compositi di grafite è diventata una tendenza significativa nel settore delle batterie al litio. Questo ha spinto la domanda di materiali anodici al silicio, che si stima raggiungerà una domanda potenziale di 300.000 tonnellate entro il 2030.

Il prezzo di vendita dei materiali anodici a base di silicio varia da 30 dollari al kg a 50 dollari al kg.