Vishay Intertechnology, Inc. ha presentato un nuovo versatile MOSFET di potenza TrenchFET® Gen V a canale N da 30 V, che offre una maggiore densità di potenza e migliori prestazioni termiche per applicazioni industriali, informatiche, consumer e di telecomunicazione. Dotato di tecnologia source flip nel pacchetto PowerPAK® da 3,3 mm per 3,3 mm? 1212-F, il Vishay SiliconixSiSD5300DN offre la migliore resistenza di accensione della categoria, pari a 0,71 mO a 10 V, e una resistenza di accensione per la carica del gate - una figura di merito critica (FOM) per i MOSFET utilizzati nelle applicazioni di commutazione - di 42 mO*nC.

Occupando lo stesso ingombro del PowerPAK 1212-8S, il dispositivo rilasciato offre una resistenza di accensione inferiore del 18% per aumentare la densità di potenza, mentre la sua tecnologia source flip riduce la resistenza termica da 63 degC/W a 56 degC/W. Inoltre, la FOM di SiSD5300DN rappresenta un miglioramento del 35% rispetto ai dispositivi di precedente generazione, che si traduce in una riduzione delle perdite di conduzione e di commutazione per risparmiare energia nelle applicazioni di conversione di potenza. La tecnologia source flip di PowerPAK 1212-F inverte le proporzioni abituali delle piazzole di terra e di sorgente, estendendo l'area della piazzola di terra per fornire un percorso di dissipazione termica più efficiente e quindi favorire un funzionamento più fresco. Allo stesso tempo, il PowerPAK 1212-F riduce al minimo l'estensione dell'area di commutazione, contribuendo a ridurre l'impatto del rumore di traccia.

Nel pacchetto PowerPAK 1212-F, in particolare, la dimensione del pad sorgente aumenta di un fattore 10, da 0,36 mm² a 4,13 mm², consentendo un miglioramento commisurato delle prestazioni termiche. Il design del gate centrale di PowerPAK 1212-F semplifica anche la parallelizzazione di più dispositivi su un PCB a singolo strato. Il pacchetto source flip PowerPAK 1212-F di SiSD5300DN è particolarmente adatto per applicazioni come il raddrizzamento secondario, i sistemi di gestione delle batterie a morsetto attivo (BMS), i convertitori buck e BLDC, i FET OR-ing, gli azionamenti dei motori e gli interruttori di carico.

I prodotti finali tipici includono apparecchiature di saldatura e utensili elettrici; server, dispositivi edge, supercomputer e tablet; tosaerba e robot per la pulizia; e stazioni radio base. Il dispositivo è testato al 100% RG e UIS, è conforme alla normativa RoHS e non contiene alogeni. I campioni e le quantità di produzione di SiSD5300DN sono disponibili da subito, con tempi di consegna di 26 settimane.