Worksport Ltd. ha annunciato la sua mossa strategica di integrare i semiconduttori al nitruro di gallio (?GaN?) nelle sue prossime offerte di prodotti. Scegliendo i semiconduttori GAN rispetto ai più diffusi chip basati sul silicio, che alimentano anche il leader dei chip AI, NVIDIA Corporation (?NVIDIA?), Worksport ha intrapreso un viaggio innovativo per far progredire la sua tecnologia a nuovi livelli con varie partnership, tra cui quella annunciata di recente con Infineon Technologies AG, che è un produttore leader di semiconduttori GaN. Il silicone è stato il materiale dominante per la produzione di semiconduttori per decenni, grazie alla sua ampia disponibilità e facilità di lavorazione.

NVIDIA ha costruito la sua posizione dominante nel settore sui semiconduttori a base di silicio nelle sue GPU. Il contributo di NVIDIA all'industria dei semiconduttori e dell'informatica è innegabile, ma il mondo si sta avvicinando al limite teorico di quanto si possa migliorare la tecnologia basata sul silicone. Riconoscendo questo, l'obiettivo di Worksport è quello di spingere i confini dell'innovazione dei semiconduttori integrando il GaN nelle versioni future dei suoi sistemi di generazione di batterie mobili COR. Questa mossa è motivata dal potenziale del GaN di fornire prestazioni superiori, maggiore efficienza e dimensioni e peso ridotti rispetto alle soluzioni convenzionali.

Rispetto al silicio, gli interruttori di potenza basati sul GaN presentano capacità complessive più basse, soprattutto se si considera che non hanno un diodo di corpo antiparallelo. Gli interruttori GaN, quindi, consentono velocità di commutazione più elevate e perdite di potenza ridotte. Il GaN è anche in grado di resistere a temperature più elevate rispetto al silicio.

Worksport ritiene che l'uso dei semiconduttori GaN alzerà il livello di efficienza, gestione termica e prestazioni. Inoltre, i semiconduttori GaN sono dispositivi ad ampio divario di banda, che consentono di sopportare tensioni molto più elevate rispetto ai dispositivi basati sul silicio, pur assumendo pacchetti più piccoli. Questa caratteristica può portare a convertitori di potenza con una densità di potenza molto più elevata rispetto a quella che si trova in genere negli interruttori basati sul silicio.

Sfruttando la tecnologia GaN, Worksport ritiene che i suoi prodotti futuri saranno in grado di offrire prestazioni ineguagliabili, consumando allo stesso tempo meno energia, con una conseguente maggiore durata della batteria grazie a convertitori di potenza più efficienti. Inoltre, grazie alla maggiore efficienza dei semiconduttori GaN, i convertitori di potenza basati su GaN irradiano meno calore e hanno requisiti di raffreddamento inferiori e una minore necessità di ventole di raffreddamento, il che porta l'Azienda a credere di poter realizzare una dimensione più compatta della sua elettronica di potenza.

Inoltre, Worksport ritiene che utilizzando i semiconduttori GAN, sarà in grado di creare dispositivi più affidabili e duraturi, riducendo il rischio di surriscaldamento e di degrado delle prestazioni.