Advanced Semiconductor Engineering Inc. ha annunciato la prima soluzione di packaging per semiconduttori Fan-Out Chip on Substrate Chip First (FOCoS-CF) con strato di ridistribuzione separato da incapsulamento (RDL) e Chip Last (FOCoS-CL) che eleva le prestazioni per l'High Performance Computing (HPC), con la piattaforma ASE VIPack. Questa progressione della tecnologia fan-out offre un'affidabilità rivoluzionaria a livello di scheda e prestazioni elettriche eccezionali, soddisfacendo al contempo i requisiti di integrazione per le applicazioni di rete e di intelligenza artificiale che richiedono maggiore memoria e potenza di calcolo. La crescente domanda di interconnessione chip-to-chip ad alta densità, alta velocità e bassa latenza sta portando a un nuovo livello di innovazioni di packaging, come FOCoS-CF e FOCoS-CL.

Questo portafoglio combinato FOCoS-CF e FOCoS-CL affronta le limitazioni dei tradizionali pacchetti flip-chip, dove un singolo SoC viene assemblato su un substrato, consentendo l'integrazione multi-chip e chiplet, dove due o più chip possono essere ricostituiti in un modulo fan-out e poi assemblati su un substrato. L'RDL separato con incapsulante è una tecnologia chip first che aiuta a risolvere alcuni dei problemi legati al posizionamento dei die e alle regole di progettazione riscontrati con la tradizionale tecnologia di processo del wafer ricostituito. Il FOCoS-CF con RDL incapsulante-separato consente di migliorare l'interazione del pacchetto chip (CPI), di ridurre il rischio di stress meccanico sul bordo del chip a RDL e di migliorare l'integrità del segnale ad alta frequenza.

Ci sono anche miglioramenti avanzati delle regole di progettazione che consentono una maggiore densità IO fino a 10 volte esistente, riducendo i passi delle piazzole, creando al contempo opportunità di integrazione eterogenea tra chip di vari nodi e fabs diversi. I dati dimostrano che FOCoS-CL è particolarmente efficace per l'integrazione della memoria ad alta larghezza di banda (HBM), un'area tecnologica di crescente importanza per la sua capacità di ottimizzare l'efficienza energetica e il risparmio di spazio. Poiché la domanda di HBM continua a crescere nei mercati HPC, server e networking, l'innovazione FOCoS-CL offre vantaggi cruciali in termini di prestazioni e ingombro.

L'integrazione eterogenea attraverso una tecnologia di packaging avanzata consente l'integrazione di chiplet con progetti separati e diversi nodi di processo produttivo all'interno di un unico pacchetto. Fornisce un avanzamento per una maggiore intelligenza del sistema, una migliore connettività e prestazioni più elevate a un costo più gestibile, offrendo al contempo una proposta di valore convincente per il miglioramento della resa e il riutilizzo dell'IP. Il portafoglio FOCoS di ASE, che comprende FOCoS-CF con RDL separato da incapsulamento e FOCoS-CL, è in linea con la domanda del mercato, in quanto entrambe le soluzioni offrono diversi chip e dispositivi flip-chip da confezionare su un substrato BGA ad alto numero di pin, consentendo agli architetti di sistemi e pacchetti di progettare la soluzione di integrazione del pacchetto ottimale per la loro strategia di prodotto, la proposta di valore e il time-to-market.

La tecnologia di packaging FOCoS consente l'integrazione di chiplet con interconnessioni RDL multiple fino a cinque strati, un L/S RDL più piccolo di 1,5/1,5µm e un modulo fan-out di grandi dimensioni di 34x50mm2. Offre anche un ampio portafoglio di integrazione, come un circuito integrato specifico per l'applicazione (ASIC) con memoria ad alta larghezza di banda (HBM) e ASIC con Serdes in molti segmenti di HPC, networking, intelligenza artificiale/apprendimento automatico (AI/ML) e cloud. Inoltre, FOCoS ha dimostrato prestazioni elettriche migliori e costi inferiori rispetto a 2.5D Si TSV, grazie all'eliminazione dell'interposer Si e alla riduzione della capacità parassita.