Keysight Technologies, Inc.; FormFactor, Inc.; DMPI Inc. e Virginia Diodes, Inc. (VDI), che progettano e producono dispositivi, componenti e sistemi a onde millimetriche e terahertz, hanno unito le forze per offrire una nuova soluzione di analisi di rete vettoriale (VNA) a banda larga da 170 GHz /220 GHz che abbrevia i cicli di progettazione e verifica per le applicazioni 5G e 6G emergenti. Keysight, FormFactor, DMPI e VDI hanno sviluppato congiuntamente questa nuova soluzione VNA per fornire la caratterizzazione dei componenti a onde millimetriche on-wafer in varie condizioni. Offre una gamma dinamica avanzata, un'elevata potenza di uscita e la massima stabilità.

Di conseguenza, i progettisti possono caratterizzare in modo efficiente i dispositivi e i circuiti on-wafer, consentendo la creazione di kit di progettazione di processo (PDK) altamente accurati, utilizzati per progettare modelli di circuiti integrati che abbreviano il ciclo di progettazione e verifica. Inoltre, consente una rapida implementazione dei dispositivi per gli emergenti circuiti integrati monolitici a microonde (MMIC) 5G e 6G, un tipo di circuito integrato (IC) che opera a frequenze a microonde. La soluzione congiunta, il nuovo analizzatore di rete a banda larga da 220 GHz di Keysight, consente ai clienti di soddisfare le esigenze delle tecnologie 5G e 6G future, che avranno un impatto significativo sulle comunicazioni attraverso l'Internet delle cose e le connessioni wireless onnipresenti.

La soluzione completamente integrata è composta da: VNA a banda larga N5291A 125 GHz di Keysight – una soluzione single-sweep con estensori di frequenza compatti, che fornisce una potenza livellata accurata. Sonde DMPI /FormFactor T-Wave GSG Dual band – che forniscono misurazioni elettriche a livello di wafer sulle soluzioni FormFactor di sondaggio wafer di dispositivi e materiali a onde millimetriche (mmW) fino a 1,1 terahertz (THz). Gli estensori di frequenza sub-THz appositamente progettati da VDI – che consentono una misurazione di alta precisione del dispositivo on-wafer sotto test da 900 Hz a 170 GHz o 220 GHz in un unico sweep di frequenza.