Power Integrations ha annunciato una nuova famiglia di gate driver plug-and-play per moduli MOSFET e IGBT al silicio-carburo (SiC) da 62 mm, con caratteristiche di protezione migliorate per garantire un funzionamento sicuro e affidabile. I driver di gate a doppio canale SCALE?-2 2SP0230T2x0 implementano la protezione da cortocircuito in meno di due microsecondi, proteggendo i MOSFET SiC compatti da sovracorrenti dannose. I nuovi driver includono anche il bloccaggio attivo avanzato (AAC) per proteggere gli interruttori dalla sovratensione durante lo spegnimento, consentendo tensioni operative del circuito intermedio più elevate.

Ideali per applicazioni come i convertitori ausiliari ferroviari, i caricabatterie EV fuori bordo e i regolatori di tensione STATIC synchronous COMpensator (STATCOM) per la rete elettrica, i driver di gate 2SP0230T2x0 si basano sulla comprovata tecnologia SCALE-2 di Power Integrations, che garantisce livelli di integrazione più elevati, dimensioni più ridotte, maggiori funzionalità e una maggiore affidabilità del sistema. Il compatto 2SP0230T2x0 di 134 x 62 mm di Power Integrations offre un isolamento rinforzato a 1700 V, consentendo l'utilizzo per un funzionamento fino a 1700 V; si tratta di un valore superiore di 500 V rispetto ai driver convenzionali, che in genere sono limitati a 1200 V.