L'Industrial Technology Research Institute (ITRI) ha unito le forze con Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) per una ricerca pionieristica sullo sviluppo di un chip di memoria magnetica ad accesso casuale con coppia di spin-orbit (SOT-MRAM). Questo chip array SOT-MRAM presenta un'architettura di memoria innovativa e vanta un consumo energetico pari a solo l'1% di un prodotto di memoria magnetica ad accesso casuale con coppia di trasferimento di spin (STT-MRAM). I loro sforzi di collaborazione sono sfociati in un documento di ricerca su questo componente microelettronico, che è stato presentato congiuntamente all'IEEE International Electron Devices Meeting 2023 (IEDM 2023), sottolineando la natura all'avanguardia delle loro scoperte e il loro ruolo centrale nell'avanzamento delle tecnologie di memoria di prossima generazione.

L'avvento dell'AI, del 5G e dell'AIoT ha creato una domanda significativa di elaborazione rapida, che richiede nuove soluzioni di memoria caratterizzate da maggiore velocità, stabilità ed efficienza energetica. La collaborazione di successo tra ITRI e TSMC non solo illumina il percorso verso la tecnologia di memoria di prossima generazione, ma rafforza anche il vantaggio competitivo internazionale di Taiwan nel settore dei semiconduttori.