Weebit Nano Limited ha annunciato che, insieme al suo partner di sviluppo CEA-Leti, ha dimostrato i suoi primi array operativi di barre incrociate, una pietra miliare nel percorso della società verso la creazione di chip di memoria non volatile (NVM) discreti (indipendenti). L'architettura 1T1R (un transistor, un resistore) usata negli array ReRAM incorporati non è sufficiente per supportare i grandi array di celle di memoria necessari nei chip di memoria discreta. Per questo motivo, gli array Weebits crossbar sono stati sviluppati utilizzando un'architettura 1S1R (un selettore un resistore) che permette l'alta densità necessaria per i chip discreti. Tale architettura permette anche agli array Weebits di essere impilati in strati 3D in modo da poter fornire densità ancora maggiori. L'architettura Weebits 1S1R crossbar ReRAM ha potenziali applicazioni nella memoria di classe storage, nella memoria persistente e come sostituzione della NOR flash. È anche ideale per le architetture AI come l'in-memory computing e il neuromorphic computing.