Intelliepi Inc. Cayman riporta i risultati degli utili per il secondo trimestre conclusosi il 30 giugno 2020
13 agosto 2020 alle 20:56
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IntelliEPI Inc. Cayman ha annunciato i risultati degli utili per il secondo trimestre conclusosi il 30 giugno 2020. Per il secondo trimestre, l'azienda ha annunciato un fatturato di 161,082 milioni di TWD rispetto ai 169,059 milioni di TWD di un anno fa. La perdita operativa è stata di 9,264 milioni di TWD rispetto al reddito operativo di 20,105 milioni di TWD di un anno fa. La perdita netta è stata di 7,969 milioni di TWD rispetto all'utile netto di 16,702 milioni di TWD di un anno fa. La perdita base per azione è stata di TWD 0,22 rispetto all'utile base per azione di TWD 0,46 di un anno fa. L'eps diluito è stato di TWD 0 rispetto a TWD 0,46 di un anno fa. Per il semestre, il fatturato è stato di 311,570 milioni di TWD rispetto ai 350,050 milioni di TWD di un anno fa. La perdita operativa è stata di 8,131 milioni di TWD rispetto al reddito operativo di 41,832 milioni di TWD di un anno fa. La perdita netta è stata di 5,708 milioni di TWD rispetto all'utile netto di 33,212 milioni di TWD di un anno fa. La perdita base per azione è stata di TWD 0,16 rispetto all'utile base per azione di TWD 0,92 di un anno fa. L'eps diluito è stato di TWD 0 rispetto a TWD 0,92 di un anno fa.
IntelliEPI Inc. (Cayman) è una holding con sede nelle Isole Cayman di Intelligent Epitaxy Technology, Inc. L'azienda fornisce wafer EPI di semiconduttori composti basati sull'epitassia all'industria elettronica e optoelettronica. Offre ai clienti una varietà di strutture EPI per l'elettronica e l'optoelettronica cresciute su arseniuro di gallio (GaAs) e fosfuro di indio (InP). I suoi prodotti basati su GaA includono PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) e MHEMT. I suoi prodotti a base di InP includono HBT (drogato C, drogato Be, GaAsSb), HEMT, RTT e RTD. I suoi prodotti a base di Sb includono fotorivelatori SLS di tipo II, InP HBT a base di GaAsSb e substrati GaSb pronti per l'EPI. I suoi prodotti di optoelettronica includono diodi fotografici a valanga (APD), laser (da 750 a 1100 nm), VCSEL, PIN (GaAs, InP), QWIP, modulatori e laser a cascata quantica. Utilizza la sua tecnologia di monitoraggio della crescita in situ in tempo reale sui sistemi di epitassi a fascio molecolare (MBE) per la produzione di wafer EPI su substrati di GaAs e InP.