Azioni Ion Electronic Materials Co., Ltd.

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6959

TW0006959000

Prodotti chimici di base

Prezzo di chiusura Taipei Exchange 00:00:00 04/07/2024 Variaz. 5gg Var. 1 gen.
133 TWD 0,00% Grafico intraday di Ion Electronic Materials Co., Ltd. -1,85% +13,68%
Fatturato 2022 943 Mln 29,02 Mln 26,81 Mln Fatturato 2023 469 Mln 14,43 Mln 13,33 Mln Capitalizzazione 3,94 Mrd 121 Mln 112 Mln
Risultato netto 2022 105 Mln 3,23 Mln 2,98 Mln Risultato netto 2023 88 Mln 2,71 Mln 2,5 Mln EV/Fatturato 2022 * -
Liquidità netta 2022 567 Mln 17,43 Mln 16,1 Mln Liquidità netta 2023 211 Mln 6,49 Mln 6 Mln EV/Fatturato 2023 7,94 x
P/E ratio 2022 *
-
P/E ratio 2023
45 x
Dipendenti -
Rendimento 2022 *
-
Rendimento 2023
1,04%
Flottante 97,03%
Grafico dinamico
1 settimana-1,85%
Mese in corso-3,27%
1 mese+9,92%
3 mesi-16,61%
6 mesi+18,75%
Anno in corso+13,68%
Altre quotazioni
1 settimana
131.00
Estremo 131
138.50
1 mese
118.50
Estremo 118.5
141.00
Anno in corso
100.00
Estremo 100
183.00
1 anno
89.70
Estremo 89.7
191.00
3 anni
89.70
Estremo 89.7
191.00
5 anni
89.70
Estremo 89.7
191.00
10 anni
89.70
Estremo 89.7
191.00
Altre quotazioni
Data Quotazioni Variazione Volume
04/07/24 133 0,00% 106 305
03/07/24 133 0,00% 83 327
02/07/24 133 -3,27% 257 244
01/07/24 137,5 0,00% 214 156
28/06/24 137,5 +1,48% 271 701

Prezzo di chiusura Taipei Exchange, 04 luglio 2024

Altre quotazioni
Ion Electronic Materials Co Ltd è impegnata nella fornitura di gas e macchinari speciali. Le attività dell'azienda comprendono la produzione e la vendita di gas speciali e macchinari. I gas speciali comprendono gas dopanti, gas puliti e mordenzanti, gas per film sottili CVD e gas per litografia laser. I gas dopanti sono utilizzati come gas speciali per il processo di impianto ionico dei semiconduttori e dopo l'impianto, tra cui arsina, fosfina, trifluoruro di boro (11B), trifluoruro di boro arricchito 11B e tetrafluoruro di germanio. I gas di pulizia e mordenzatura sono il trifluoruro di azoto, utilizzato come gas di pulizia nei semiconduttori e nei pannelli a cristalli liquidi, nonché il gas di miscela F2/N2, utilizzato nell'elettronica, nella tecnologia laser e nelle apparecchiature mediche. Il gas per film sottili CVD comprende SiH4, Si2H6, DCS e TCS utilizzati nei semiconduttori. Il gas per litografia laser comprende ArF193nm, KrF248nm, gas di ricottura laser, Ne e Kr utilizzati nel processo di fotoresistenza. Vengono utilizzati macchinari per la ricarica di gas speciali.
Altre informazioni sulla società
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