Navitas Semiconductor Corporation riporta i risultati degli utili per il quarto trimestre e l'intero anno terminato il 31 dicembre 2023
29 febbraio 2024 alle 22:21
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Navitas Semiconductor Corporation ha riportato i risultati degli utili per il quarto trimestre e l'intero anno terminato il 31 dicembre 2023. Per il quarto trimestre, l'azienda ha registrato un fatturato di 26,06 milioni di dollari USA rispetto ai 12,35 milioni di dollari USA di un anno fa. La perdita netta è stata di 32,58 milioni di dollari rispetto ai 7,13 milioni di dollari di un anno fa. La perdita base per azione da attività continuative è stata di 0,18 dollari USA rispetto ai 0,05 dollari USA di un anno fa. La perdita diluita per azione da attività continuative è stata di 0,18 dollari USA rispetto a 0,05 dollari USA di un anno fa. Per l'intero anno, il fatturato è stato di 79,46 milioni di dollari USA rispetto ai 37,94 milioni di dollari USA di un anno fa. La perdita netta è stata di 145,43 milioni di dollari USA rispetto all'utile netto di 73,91 milioni di dollari USA di un anno fa. La perdita base per azione da attività continuative è stata di 0,86 dollari USA rispetto all'utile base per azione da attività continuative di 0,55 dollari USA di un anno fa. La perdita diluita per azione da attività continuative è stata di 0,86 dollari USA rispetto all'utile diluito per azione da attività continuative di 0,51 dollari USA di un anno fa.
Navitas Semiconductor Corporation è un'azienda di semiconduttori di potenza. L'azienda è impegnata nella progettazione, nello sviluppo e nella commercializzazione di semiconduttori di potenza, compresi i circuiti integrati (IC) di potenza al nitruro di gallio (GaN), i dispositivi di potenza al carburo di silicio (SiC), i controllori di sistema al silicio associati e gli isolatori digitali utilizzati nella conversione e nella ricarica di energia. Gli alimentatori che incorporano i suoi prodotti sono utilizzati in una varietà di prodotti elettronici, tra cui caricatori veloci per telefoni cellulari e laptop, elettronica di consumo, data center, inverter solari e veicoli elettrici, oltre a numerose altre applicazioni. I suoi circuiti integrati di potenza GaNFast integrano potenza e pilotaggio GaN, con controllo, rilevamento e protezione, per consentire una ricarica più rapida, una maggiore densità di potenza e un risparmio energetico. I suoi dispositivi di potenza GeneSiC sono ottimizzati con soluzioni SiC affidabili. Offre anche una gamma di MOSFET e diodi SiC, che presentano una resistenza inferiore a temperature più elevate, 25°C più freddi e un'aspettativa di vita del dispositivo tre volte superiore.
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