Navitas Semiconductor e SHINRY hanno annunciato l'apertura di un laboratorio di ricerca e sviluppo avanzato e congiunto per accelerare lo sviluppo di sistemi di alimentazione per veicoli a nuova energia (NEV) abilitati dalla tecnologia Navitas? GaNFast?.

Il nitruro di gallio (GaN) di nuova generazione sta sostituendo i tradizionali chip di potenza al silicio, grazie alle caratteristiche superiori di alta frequenza e alta efficienza. Il GaN offre una ricarica più rapida, un'accelerazione più veloce e un'autonomia maggiore, accelerando l'adozione sul mercato dei NEV e la transizione dai combustibili fossili all'energia pulita e rinnovabile. Il laboratorio congiunto accelera i progetti di sviluppo, con la tecnologia GaN che si combina con le competenze innovative di progettazione dei sistemi e il talento ingegneristico per consentire progetti ad alta densità di potenza, leggeri ed efficienti senza precedenti, che si traducono in una ricarica più rapida e in un'autonomia estesa, con un time-to-market più veloce.

Il laboratorio congiunto riunisce ingegneri esperti e altamente professionali di Navitas e SHINRY per costruire piattaforme di R&S efficienti e collaborative. Il Centro di progettazione di sistemi EV dedicato di Navitas, situato a Shanghai, fornirà un supporto tecnico completo al laboratorio congiunto. Navitas non solo fornirà a SHINRY dispositivi di alimentazione all'avanguardia e affidabili, ma si impegnerà anche nella R&S a livello di sistema, dalle fasi iniziali di specifica e progettazione del prodotto, fino alle piattaforme di test e alle soluzioni di imballaggio personalizzate.

Il risultato saranno sistemi di alimentazione più efficienti, a più alta densità di potenza, più affidabili e convenienti per i NEV.