Navitas Semiconductor ha annunciato la sua partecipazione alla prossima conferenza Power Electronics International, che si terrà dal 16 al 17 aprile 2024 a Bruxelles, in Belgio. L'affidabilità della rete è un fattore chiave in un'opportunità di 1.300 miliardi di dollari per i semiconduttori di potenza, in quanto le tecnologie Navitas accelerano la transizione dai combustibili fossili alle energie rinnovabili.

Navitas presenterà al pubblico europeo gli ultimi prodotti GaNFast? e GeneSiC?, tra cui il nuovo SiC veloce Gen-3 per prestazioni ad alta potenza e velocità, oltre a GaNSafe?

- i dispositivi di alimentazione GaN più protetti al mondo. Navitas presenterà quanto segue il 17 aprile: "I MOSFET SiC da 3,3 kV accelerano l'accumulo di energia collegato alla rete", Dr. Ranbir Singh, EVP GeneSiC. Sinossi: La rete fornisce energia dai generatori e la consegna ai clienti attraverso le reti di trasmissione e distribuzione (T&D).

Negli Stati Uniti, l'uso dell'accumulo di energia elettrica per supportare e ottimizzare la rete T&D è stato limitato a causa dei costi elevati dell'accumulo e della limitata esperienza di progettazione e di funzionamento. I recenti miglioramenti nelle tecnologie di stoccaggio e di alimentazione, tuttavia, insieme ai cambiamenti del mercato, annunciano un'era di opportunità in espansione per lo stoccaggio dell'elettricità. Gli inverter SiC rivoluzioneranno la fornitura di energia elettrica, l'integrazione delle energie rinnovabili e l'accumulo di energia.

È ben noto che i semiconduttori basati sul silicio hanno limitazioni intrinseche che ne riducono l'idoneità per le applicazioni su scala industriale. "I circuiti bidirezionali aprono nuove opportunità nelle applicazioni off-grid", spiega Alfred Hesener, Senior Director Industrial and Consumer Applications. Sinossi: I circuiti bidirezionali sono fondamentali per regolare efficacemente la variazione di domanda e offerta nelle applicazioni di energia rinnovabile.

In passato, erano costosi da realizzare e complessi da implementare nelle applicazioni di elettronica di potenza. I circuiti integrati di potenza GaN ad ampio bandgap, con funzioni di pilotaggio integrate e circuiti avanzati, offrono funzionalità e densità di potenza elevate, facili da usare e affidabili, per circuiti di correzione del fattore di potenza, inverter solari e interruttori a stato solido.