ROHM Semiconductor ha annunciato i nuovi diodi a barriera Schottky (SBD) a 100 V di breakdown, che offrono un tempo di recupero inverso (trr) per l'alimentazione e i circuiti di protezione nelle applicazioni automobilistiche, industriali e di consumo. Sebbene esistano numerosi tipi di diodi, gli SBD altamente efficienti sono sempre più utilizzati in una varietà di applicazioni. Gli SBD con struttura MOS a trincea offrono un VF inferiore rispetto ai tipi planari e consentono una maggiore efficienza nelle applicazioni di rettifica.

Uno svantaggio delle strutture MOS a trincea, tuttavia, è che in genere presentano un trr migliore rispetto alle topologie planari, con conseguente perdita di potenza maggiore quando vengono utilizzate per la commutazione. In risposta, ROHM ha sviluppato una nuova serie di SBD che utilizzano una struttura MOS a trincea proprietaria che riduce simultaneamente sia la VF che l'IR (che sono in un rapporto di trade-off), ottenendo al contempo un trr leader nella categoria. Espandendo le quattro linee di SBD convenzionali esistenti, ottimizzate per una varietà di requisiti, la serie YQ è la prima di ROHM ad adottare una struttura MOS a trincea.

Il design proprietario raggiunge un trr di 15ns, leader della categoria, che riduce la perdita di trr di circa il 37% e la perdita di commutazione complessiva di circa il 26% rispetto ai prodotti MOS a trincea generici, contribuendo a ridurre il consumo energetico dell'applicazione. La nuova struttura migliora anche la perdita VF e IR rispetto ai tradizionali SBD di tipo planare. Questo si traduce in una minore perdita di potenza quando viene utilizzato in applicazioni con polarizzazione in avanti, come la rettificazione, e al contempo riduce il rischio di runaway termico, che è una delle principali preoccupazioni degli SBD.

Per questo motivo, sono ideali per gli insiemi che richiedono una commutazione ad alta velocità, come i circuiti di pilotaggio per i fari LED automobilistici e i convertitori DC-DC negli xEV che sono inclini a generare calore. In futuro, ROHM si impegnerà a migliorare ulteriormente la qualità dei suoi dispositivi a semiconduttore, dalla bassa all'alta tensione, rafforzando al contempo la sua ampia gamma per ridurre ulteriormente il consumo di energia e ottenere una maggiore miniaturizzazione. La struttura MOS a trincea viene creata formando una trincea con il polisilicio nello strato epitassiale del wafer per mitigare la concentrazione del campo elettrico.

Di conseguenza, la serie YQ migliora il VF e l'IR di circa il 7% e l'82%, rispettivamente, rispetto ai prodotti convenzionali. A differenza delle tipiche strutture MOS a trincea, dove il trr è peggiore rispetto ai tipi planari a causa della maggiore capacità parassita (componente di resistenza nel dispositivo), la serie YQ raggiunge un trr di 15ns adottando un design strutturale unico. Ciò consente di ridurre le perdite di commutazione di circa il 26%, contribuendo a ridurre il consumo energetico dell'applicazione".

Le note applicative che evidenziano i vantaggi di questi prodotti nei circuiti, insieme a un libro bianco che mette in evidenza le caratteristiche di ciascuna serie SBD, sono disponibili sul sito web di ROHM. È disponibile anche una pagina SBD che consente agli utenti di restringere le opzioni dei prodotti inserendo le condizioni di tensione e altri parametri, facilitando il processo di selezione durante la progettazione. Pagina del prodotto ROHM SBD: < < URL> Nota applicativa: Vantaggi della Serie YQ: Diodati a barriera Schottky compatti e ad alta efficienza di conversione di potenza per il settore automobilistico.

Libro bianco: La linea di diodi SBD di ROHM contribuisce a una maggiore miniaturizzazione e a minori perdite nel settore automobilistico, industriale e delle apparecchiature di consumo.