ROHM Semiconductor ha annunciato nuovi MOSFET doppi che integrano due chip da 100 V in un unico pacchetto, ideali per gli azionamenti dei motori delle ventole applicate nelle stazioni base di comunicazione e nelle apparecchiature industriali. Cinque modelli sono stati aggiunti come parte delle serie HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) e HP8MEx (Nch+Pch).

Negli ultimi anni si è assistito a una transizione verso tensioni più elevate, dai sistemi convenzionali da 12V/24V a 48V, nelle stazioni base di comunicazione e nelle apparecchiature industriali, con l'intento di ottenere una maggiore efficienza riducendo i valori di corrente. In queste situazioni, ai MOSFET di commutazione è richiesta una tensione di resistenza di 100V per tenere conto delle fluttuazioni di tensione, in quanto gli alimentatori da 48V sono utilizzati anche nei motori delle ventole per il raffreddamento di queste applicazioni. Tuttavia, l'aumento della tensione di breakdown aumenta la resistenza ON (RDS(on)) (che è in una relazione di trade-off), portando a una diminuzione dell'efficienza, rendendo difficile ottenere sia una RDS(on) più bassa che una tensione di breakdown più alta.

Inoltre, a differenza di più MOSFET di azionamento singoli normalmente applicati nei motori dei ventilatori, i MOSFET doppi che integrano due chip in un unico pacchetto sono sempre più adottati per risparmiare spazio. In risposta, ROHM ha sviluppato due nuove serie, HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) e HP8MEx (Nch+Pch), che combinano i chip MOSFET Nch e Pch utilizzando i processi più recenti. Entrambe le serie raggiungono il più basso RDS(on) del settore, grazie all'adozione di nuovi pacchetti di dissipazione del calore sul retro, con eccellenti caratteristiche di dissipazione del calore.

Di conseguenza, l'RDS(on) è ridotto fino al 56% rispetto ai MOSFET doppi standard (19,6mO per l'HSOP8 e 57,0mO per l'HSMT8 Nch+Nch), contribuendo a ridurre significativamente il consumo energetico impostato. Allo stesso tempo, la combinazione di due chip in un unico pacchetto consente un maggiore risparmio di spazio, riducendo notevolmente l'area. Ad esempio, la sostituzione di due MOSFET TO-252 a chip singolo con un HSOP8 riduce l'ingombro del 77%.

In seguito, ROHM continuerà a espandere la sua linea di MOSFET doppi per resistere alle tensioni ideali per le apparecchiature industriali, sviluppando anche varianti a basso rumore. Si prevede che questo contribuirà a risolvere problemi sociali come la protezione dell'ambiente, risparmiando spazio e riducendo il consumo di energia in varie applicazioni. Linea di prodotti: HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) e HP8MEx (Nch+Pch).

Esempi di applicazione: Motori di ventilazione per stazioni base di comunicazione; motori di ventilazione per l'automazione di fabbrica e altre apparecchiature industriali e motori di ventilazione per server di data center, ecc. Combinazione con un IC pre-driver per ottenere la soluzione ottimale di azionamento del motore: La combinazione di questi prodotti con gli IC pre-driver di ROHM, collaudati sul mercato, per i motori brushless mono/trifase, consente di considerare motori ancora più piccoli, con consumi ridotti e un azionamento più silenzioso. Fornendo un supporto totale per la progettazione di circuiti periferici che combinano la serie dual-MOSFET con i circuiti integrati pre-driver, ROHM può offrire le migliori soluzioni di azionamento del motore per le esigenze dei clienti.

Esempi di soluzioni con MOSFET doppi da 100 V: HT8KE5 (MOSFET doppio Nch+Nch) + BM64070MUV (IC pre-driver per motori brushless trifase) e HT8KE6 (MOSFET doppio Nch+Nch) + BM64300MUV (IC pre-driver per motori brushless trifase) e altro ancora. Informazioni sulle vendite online: Data di lancio delle vendite: agosto 2023; Distributori online: DigiKey, Mouser e Farnell e I prodotti saranno offerti ad altri distributori online non appena saranno disponibili.