Samsung Electronics Co. Ltd. ha annunciato di aver avviato la produzione iniziale del suo nodo di processo a 3 nanometri (nm) applicando l'architettura del transistor Gate-All-Around (GAA). Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), la tecnologia GAA di Samsung implementata per la prima volta in assoluto, sfida le limitazioni delle prestazioni di FinFET, migliorando l'efficienza energetica grazie alla riduzione del livello di tensione di alimentazione e migliorando le prestazioni grazie all'aumento della capacità di corrente di pilotaggio. Samsung sta avviando la prima applicazione del transistor nanosheet con chip semiconduttori per applicazioni informatiche ad alte prestazioni e a basso consumo e prevede di espandersi ai processori mobili.

La tecnologia proprietaria di Samsung utilizza nanofogli con canali più ampi, che consentono prestazioni più elevate e una maggiore efficienza energetica rispetto alle tecnologie GAA che utilizzano nanofili con canali più stretti. Utilizzando la tecnologia GAA a 3 nm, Samsung sarà in grado di regolare la larghezza dei canali del nanosheet per ottimizzare l'utilizzo di energia e le prestazioni, in modo da soddisfare le diverse esigenze dei clienti. Inoltre, la flessibilità di progettazione di GAA è molto vantaggiosa per la Design Technology Co-Optimization (DTCO), che contribuisce a incrementare i vantaggi di Power, Performance, Area (PPA).

Rispetto al processo a 5 nm, il processo a 3 nm di prima generazione può ridurre il consumo di energia fino al 45%, migliorare le prestazioni del 23% e ridurre l'area del 16% rispetto ai 5 nm, mentre il processo a 3 nm di seconda generazione è in grado di ridurre il consumo di energia fino al 50%, migliorare le prestazioni del 30% e ridurre l'area del 35%. Man mano che i nodi tecnologici si riducono e le esigenze di prestazioni dei chip aumentano, i progettisti di circuiti integrati devono affrontare la sfida di gestire enormi quantità di dati per verificare prodotti complessi con un maggior numero di funzioni e una scalatura più stretta. Per rispondere a queste esigenze, Samsung si impegna a fornire un ambiente di progettazione più stabile per aiutare a ridurre i tempi del processo di progettazione, verifica e firma, aumentando anche l'affidabilità del prodotto.

Dal terzo trimestre del 2021, Samsung Electronics ha fornito un'infrastruttura di progettazione comprovata attraverso un'ampia preparazione con i partner del Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE), tra cui Ansys, Cadence, Siemens e Synopsys, per aiutare i clienti a perfezionare i loro prodotti in un periodo di tempo ridotto.