La STMicroelectronics ha annunciato un processo avanzato basato sulla tecnologia FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) da 18 nm con memoria a cambiamento di fase incorporata (ePCM) per supportare i dispositivi di elaborazione incorporati di prossima generazione. Questa nuova tecnologia di processo, sviluppata congiuntamente da ST e Samsung Foundry, offre un salto di qualità in termini di prestazioni e consumo energetico per le applicazioni di elaborazione embedded, consentendo al contempo dimensioni di memoria maggiori e livelli più elevati di integrazione di periferiche analogiche e digitali. Il primo microcontrollore STM32 di nuova generazione basato sulla nuova tecnologia inizierà ad essere distribuito a clienti selezionati nella seconda metà del 2024, mentre la produzione è prevista per la seconda metà del 2025.

Rispetto alla tecnologia ST 40nm embedded non-volatile memory (eNVM) utilizzata, 18nm FD-SOI con ePCM migliora notevolmente le cifre chiave di merito: Rapporto prestazioni/potenza migliore di oltre il 50%, densità di memoria non volatile (NVM) 2,5 volte superiore che consente memorie on-chip più grandi, densità digitale tre volte superiore per l'integrazione di periferiche digitali come acceleratori AI e grafici e funzioni di sicurezza e protezione miglioramento di 3 dB della figura di rumore per prestazioni RF migliorate nelle MCU wireless, La tecnologia è in grado di funzionare a 3 V per alimentare funzioni analogiche come la gestione dell'alimentazione, i sistemi di reset, le fonti di clock e i convertitori digitali/analogici. È l'unica tecnologia sub-20 nm che supporta questa capacità. La tecnologia offre anche l'affidabilità necessaria per le applicazioni industriali più esigenti, grazie al robusto funzionamento ad alta temperatura, all'indurimento da radiazioni e alle capacità di conservazione dei dati già sperimentate nelle applicazioni automobilistiche.