Weebit Nano Limited ha compiuto progressi significativi nello sviluppo del suo selettore, con nuovi risultati che confermano che il suo selettore ReRAM è adatto sia per applicazioni embedded che discrete (stand-alone), aumentando notevolmente il numero di applicazioni possibili per la tecnologia di Weebit. Weebit Nano, insieme al suo partner di sviluppo CEA-Leti, ha dimostrato il potenziale del selettore ReRAM di Weebit per raggiungere le alte densità necessarie per i chip discreti, utilizzando materiali e strumenti standard. Inoltre, questa stessa tecnologia di selettore si adatta alle applicazioni embedded, consentendo densità di memoria non volatile (NVM) senza precedenti per i futuri system-on-chip (SoC).

Il nuovo selettore Weebit ReRAM è stato prodotto nel laboratorio di ricerca e sviluppo di CEA-Leti e i wafer di silicio sono stati accuratamente testati sia per la programmazione che per le correnti di dispersione. I risultati di questi test interni hanno mostrato che il rapporto tra la corrente di programmazione e la corrente di dispersione era conforme agli standard industriali, il che significa un'elevata corrente di accensione e una bassa corrente di dispersione. In un array di memoria, il ruolo di un selettore è quello di garantire che solo le celle specifiche a cui si deve accedere lo siano effettivamente, mentre tutte le altre celle sono scollegate e non vengono toccate.

I progetti embedded attualmente utilizzano un transistor come dispositivo di selezione, ma i transistor aumentano l'area della cella di un bit di memoria e quindi non possono supportare le alte densità richieste per i chip discreti. Inoltre, le future applicazioni embedded, come l'intelligenza artificiale e l'automotive, richiederanno array di memoria molto più grandi e potrebbero beneficiare di un selettore ottimizzato che consenta densità più elevate. Lo sviluppo di selettori efficienti dal punto di vista dei costi, utilizzando solo materiali e strumenti standard, rappresenta una sfida significativa, ma ha il potenziale per ridurre ulteriormente i costi di produzione e la complessità.

Sebbene siano necessari ulteriori sviluppi, questa nuova tecnologia di selettori potrebbe essere facilmente integrata in qualsiasi fabbrica CMOS, consentendo potenzialmente di ottenere gli array di memoria ad alta capacità necessari, mantenendo dimensioni e potenza al minimo.