STMicroelectronics e Sanan Optoelectronics hanno annunciato di aver firmato un accordo per la creazione di una nuova joint venture per la produzione di dispositivi al carburo di silicio da 200 mm a Chongqing, in Cina. La nuova fabbrica di SiC dovrebbe iniziare la produzione nel quarto trimestre del 2025 e l'avvio completo è previsto per il 2028, a sostegno della crescente domanda in Cina per l'elettrificazione delle auto e per le applicazioni industriali di energia e potenza. Parallelamente, Sanan Optoelectronics costruirà e gestirà separatamente un nuovo impianto di produzione di substrati SiC da 200 mm per soddisfare le esigenze della joint venture, utilizzando il proprio processo di substrati SiC.

La JV produrrà dispositivi SiC esclusivamente per STMicroelectronics, utilizzando la tecnologia del processo produttivo SiC di proprietà della ST, e servirà come fonderia dedicata alla ST per sostenere la domanda dei suoi clienti cinesi. L'importo totale per la realizzazione completa della JV dovrebbe essere di circa 3,2 miliardi di dollari, comprese le spese in conto capitale di circa 2,4 miliardi di dollari nei prossimi 5 anni, che saranno finanziate dai contributi di STMicroelectronics e SananOptoelectronics, dal sostegno del governo locale e dai prestiti alla JV. Il completamento del progetto è soggetto alle approvazioni normative.