Navitas Semiconductor ha annunciato il suo nuovo portafoglio di MOSFET SiC Gen-3 "veloci"? (G3F) da 650 V e 1.200 V, ottimizzati per la massima velocità di commutazione, la più alta efficienza e una maggiore densità di potenza per applicazioni come gli alimentatori per data center AI, i caricabatterie di bordo (OBC), i supercaricatori veloci per veicoli elettrici su strada e i sistemi solari/di accumulo di energia (ESS). L'ampia gamma di prodotti comprende pacchetti standard del settore, da D2PAK-7 a TO-247-4, progettati per applicazioni esigenti, ad alta potenza e ad alta affidabilità.

La famiglia G3F è ottimizzata per le prestazioni di commutazione ad alta velocità, con un miglioramento del 40% delle cifre di merito di commutazione dura (FOM) rispetto alla concorrenza nei sistemi CCM TPPFC. Ciò consentirà di aumentare la potenza delle unità di alimentazione (PSU) AI di prossima generazione fino a 10 kW e di aumentare la potenza per rack da 30 kW a 100-120 kW. I MOSFET G3F GeneSiC sono sviluppati con una tecnologia proprietaria "planare assistita da trincea" e offrono prestazioni migliori di quelle dei MOSFET a trincea, oltre a garantire robustezza, producibilità e costi superiori rispetto alla concorrenza.

I MOSFET G3F offrono un'alta efficienza con prestazioni ad alta velocità, consentendo una temperatura del case inferiore fino a 25°C e una durata fino a 3 volte superiore rispetto ai prodotti SiC di altri produttori. La tecnologia "trench-assisted planar?" consente un aumento di RDS(ON) estremamente basso rispetto alla temperatura, che si traduce in perdite di potenza minime nell'intera gamma operativa e offre un RDS(ON) inferiore fino al 20% nel funzionamento reale ad alte temperature rispetto alla concorrenza.

Inoltre, tutti i MOSFET GeneSiC hanno la più alta capacità di valanga pubblicata e testata al 100%, un tempo di resistenza al cortocircuito più lungo del 30% e distribuzioni di tensione di soglia strette per un facile parallelismo; i MOSFET GeneSiC sono ideali per applicazioni ad alta potenza e con tempi di commercializzazione rapidi. L'ultimo progetto di riferimento di Navitas? 4,5 kW di alimentatore per server AI ad alta densità di potenza nel fattore di forma CRPS185, presenta i FET G3F da 650 V e 40mOhm per una topologia PFC Interleaved CCM TP.

Insieme ai circuiti integrati di potenza GaNSafe? nella fase LLC, viene realizzata una densità di potenza di 138 W/pollice3 e un'efficienza di picco superiore al 97%, che raggiunge comodamente gli standard di efficienza "Titanium Plus", ora obbligatori in Europa.

Per il mercato EV, i FET G3F da 1.200 V/34 mOhm (G3F34MT12K) consentono ai nuovi OBC bidirezionali da 22 kW e 800 V e al convertitore DC-DC da 3KW di Navitas di raggiungere una densità di potenza superiore di 3,5 kW/L e un'efficienza di picco del 95,5%.