Navitas Semiconductor e Plexim GmbH hanno annunciato una partnership per rilasciare i modelli di perdita termica PLECS dei MOSFET SiC G3aa¢ e dei diodi MPS Gen 5 di GeneSiC per simulazioni altamente accurate di sistemi elettronici di potenza completi. I progettisti di potenza possono simulare le perdite di potenza e termiche in varie applicazioni soft e hard-switching. La tecnologia proprietaria GeneSiC trench-assisted planar-gate MOSFET offre il più basso RDS(ON) ad alta temperatura e la più alta efficienza ad alta velocità, e i nuovi diodi MPS con caratteristiche acilow-kneeaco portano a livelli di prestazioni, robustezza e qualità senza precedenti, leader nel settore.
I modelli PLECS per i MOSFET GeneSiC e i diodi MPS sono disponibili immediatamente.